LED燈珠封裝原材料芯片結構

 

LED燈珠芯片結構

 

 

LED燈珠芯片是半導體發光器件LED燈珠的核心部件，它主要由砷(AS)、鋁(AL)、鎵(Ga)、銦(IN)、磷(P)、氮(N)、鍶(Ｓi)這幾種元素中的若干種組成。

　　

 

LED芯片按發光亮度分類可分為：

 

 

一般亮度：R(紅色GAaAsP 655nm)、H ( 高紅GaP 697nm )、G ( 綠色GaP 565nm )、Y ( 黃色GaAsP/GaP 585nm )、E(桔色GaAsP/ GaP 635nm )等；

 

 

高亮度：VG (較亮綠色GaP 565nm )、VY(較亮黃色 GaAsP/ GaP 585nm )、SR( 較亮紅色GaA/AS 660nm )；

　

 

超高亮度：UG﹑UY﹑UR﹑UYS﹑URF﹑UE等。

　

 

芯片按組成元素可分為：

　　

 

二元晶片(磷﹑鎵)：H﹑G等；

　　

 

三元晶片(磷﹑鎵 ﹑砷)：SR(較亮紅色GaA/AS 660nm)、 HR (超亮紅色GaAlAs 660nm)、UR(最亮紅色GaAlAs 660nm)等；

 

 

四元晶片(磷﹑鋁﹑鎵﹑銦)：SRF( 較亮紅色 AlGalnP )、HRF(超亮紅色 AlGalnP)、URF(最亮紅色 AlGalnP 630nm)、VY(較亮黃色GaAsP/GaP 585nm)、HY(超亮黃色 AlGalnP 595nm)、UY(最亮黃色 AlGalnP 595nm)、UYS(最亮黃色 AlGalnP 587nm)、UE(最亮桔色 AlGalnP 620nm)、HE(超亮桔色 AlGalnP 620nm)、UG (最亮綠色 AIGalnP 574nm) LED等。

　　

 

發光二極管芯片制作方法和材料的磊晶種類：

 

　　

1、LPE：液相磊晶法  GaP/GaP；

 

2、VPE：氣相磊晶法 GaAsP/GaAs；

 

3、MOVPE：有機金屬氣相磊晶法) AlGaInP、GaN；　

 

4、SH：單異型結構  GaAlAs/GaAs；　

 

5、DH：雙異型結構  GaAlAs/GaAs；

 

6、DDH：雙異型結構  GaAlAs/GaAlAs。

 

 

不同LED芯片，其結構大同小異，有外延用的芯片基板( 藍寶石基板、碳化硅基板等) 和摻雜的外延半導體材料及透明金屬電極等構成。(拓展LED http://www.remineintl.com)