LED燈珠封裝原材料芯片結構
LED燈珠封裝原材料芯片結構
LED燈珠芯片結構
LED燈珠芯片是半導體發光器件LED燈珠的核心部件,它主要由砷(AS)、鋁(AL)、鎵(Ga)、銦(IN)、磷(P)、氮(N)、鍶(Si)這幾種元素中的若干種組成。
LED芯片按發光亮度分類可分為:
一般亮度:R(紅色GAaAsP 655nm)、H ( 高紅GaP 697nm )、G ( 綠色GaP 565nm )、Y ( 黃色GaAsP/GaP 585nm )、E(桔色GaAsP/ GaP 635nm )等;
高亮度:VG (較亮綠色GaP 565nm )、VY(較亮黃色 GaAsP/ GaP 585nm )、SR( 較亮紅色GaA/AS 660nm );
超高亮度:UG﹑UY﹑UR﹑UYS﹑URF﹑UE等。
芯片按組成元素可分為:
二元晶片(磷﹑鎵):H﹑G等;
三元晶片(磷﹑鎵 ﹑砷):SR(較亮紅色GaA/AS 660nm)、 HR (超亮紅色GaAlAs 660nm)、UR(最亮紅色GaAlAs 660nm)等;
四元晶片(磷﹑鋁﹑鎵﹑銦):SRF( 較亮紅色 AlGalnP )、HRF(超亮紅色 AlGalnP)、URF(最亮紅色 AlGalnP 630nm)、VY(較亮黃色GaAsP/GaP 585nm)、HY(超亮黃色 AlGalnP 595nm)、UY(最亮黃色 AlGalnP 595nm)、UYS(最亮黃色 AlGalnP 587nm)、UE(最亮桔色 AlGalnP 620nm)、HE(超亮桔色 AlGalnP 620nm)、UG (最亮綠色 AIGalnP 574nm) LED等。
發光二極管芯片制作方法和材料的磊晶種類:
1、LPE:液相磊晶法 GaP/GaP;
2、VPE:氣相磊晶法 GaAsP/GaAs;
3、MOVPE:有機金屬氣相磊晶法) AlGaInP、GaN;
4、SH:單異型結構 GaAlAs/GaAs;
5、DH:雙異型結構 GaAlAs/GaAs;
6、DDH:雙異型結構 GaAlAs/GaAlAs。
不同LED芯片,其結構大同小異,有外延用的芯片基板( 藍寶石基板、碳化硅基板等) 和摻雜的外延半導體材料及透明金屬電極等構成。(拓展LED http://www.remineintl.com)
下一篇:led發光二極管焊接過程死燈原因上一篇: 2016.06.18拓展LED拓展訓練
此文關鍵字:LED燈珠封裝原材料芯片結構,LED燈珠,LED燈珠封裝
同類文章排行
- 七彩led燈珠的原理是什么?
- 深圳發光二極管廠家談LED發光二極管封裝工藝
- led發光二極管焊接過程死燈原因
- LED燈珠封裝原材料芯片結構
- 詳細LED金線發光二極管特點
- LED燈珠的型號與LED燈珠規格小知識
- 詳細【LED發光二極管】常識
- 如何選擇質量好的led燈珠呢?
- 拓展led燈珠廠家談LED燈珠發熱的原因
- 全面的led發光二極管知識
最新資訊文章
- 3528貼片LED燈珠的檢測方法
- 1206LED燈珠為何會出現失效變色?
- 0603led燈珠有什么特點?
- 5mm七彩快閃led發光二極管光衰的測試
- 5mmled發光二極管-如何預防“死燈”現象
- 5mmLED燈珠好壞怎么區分?
- 3mm有邊白發紅長腳LED發光二極管產品說明
- 貼片LED燈珠光衰和什么有關系
- LED燈珠基本知識
- 5mm七彩LED燈珠調節亮度,是否會影響燈珠壽命?
您的瀏覽歷史
